Основные публикации

2025 год

М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, В.А. Кукушкин, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов «Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном p−i−n-диоде» // Письма в журнал технической физики, 2025, том 51, № 10, С. 48–51, DOI: 10.61011/pjtf.2025.10.60334.20202.

В.А. Кукушкин, Ю.В. Кукушкин «Скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе» // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2025, том 167, № 5, С. 711–719, http://jetp.ras.ru/cgi-bin/r/index/r/167/5/p711.

М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, В.А. Кукушкин, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, Р.И. Хайбуллин «Электролюминесценция центров окраски германий--вакансия в алмазном p−i−n-диоде» // Письма в журнал технической физики, 2025, том 51, № 8, С. 3–6, DOI: 10.61011/pjtf.2025.08.60154.20158.

М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, П.А. Юнин, Н.В. Востоков, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов «CVD-алмазные структуры с p−n-переходом – диоды и транзисторы» // Журнал технической физики, 2025, том 95, № 3, С. 540–548, DOI: 10.61011/jtf.2025.03.59860.288-24.

M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, E.V. Demidov, S.A. Kraev, E.A. Arkhipova, S.A. Korolev, A.I. Okhapkin, and M.N. Drozdov. Real-time temperature sensor based on integrated diamond Schottky diode // Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, vol. 188, P. 109267, DOI: 10.1016/j.mssp.2025.109267.

2024 год

Е.А. Архипова, М.Н. Дроздов, С.А. Краев, О.И. Хрыкин, А.И. Охапкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, В.А. Исаев, С.А. Богданов «Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p- и n-типа и их термическая стабильность» // Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, № 8, С. 409–414, DOI: 10.61011/ftp.2024.08.59199.6349h.

В.А. Кукушкин, Ю.В. Кукушкин «Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе» // Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, № 6, С. 283–287, https://journals.ioffe.ru/articles/58941.

В.А. Кукушкин, Ю.В. Кукушкин «Способ увеличения используемой доли излучения центров окраски в алмазе» // Оптика и спектроскопия, 2024, том 132, № 6, С. 637–642, https://journals.ioffe.ru/articles/58640, DOI: 10.61011/os.2024.06.58640.6136-24.

А.И. Охапкин, С.А. Краев, П.А. Юнин, С.А. Королев, Д.Б. Радищев, N. Kumar «Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием sp3 –фазы» // Письма в журнал технической физики, 2024, том 50, № 13, С. 12–15, DOI: 10.61011/pjtf.2024.13.58160.19884.

A. Okhapkin, M. Drozdov, P. Yunin, S. Kraev, S. Korolyov, and D. Radishev. Multilayer Diamond-Like Carbon Films on Monocrystalline Diamond // Physica Status Solidi (A), 2024, vol. 221, № 18, P. 2400345, DOI: 10.1002/pssa.202400345.

A.I. Okhapkin, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, S.A. Kraev, and D.B. Radishev. Plasma Chemical Deposition of Hydrogenated DLC Films with Different Hydrogen and sp3-Hybrid Carbon Content // Semiconductors, 2024, vol. 58, P. 57–60, DOI: 10.1134/s1063782624010123.

D.V. Belov, S.N. Belyaev, D.B. Radishchev, and A.I. Okhapkin. Synthesis of Coatings Based on Graphene-Like Materials and Study of Their Physicochemical Properties // Inorganic Materials: Applied Research, 2024, vol. 15, № 2, P. 506–522, DOI: 10.1134/s2075113324020102.

2023 год

В.А. Кукушкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, Е.А. Архипова, М.Н. Дроздов, Ю.В. Кукушкин, В.А. Исаев, С.А. Богданов «Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе» // Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, № 4, С. 259–264, DOI: 10.61011/sc.2023.04.56422.10k.

Д.В. Белов, С.Н. Беляев, Д.Б. Радищев, А.И. Охапкин «Получение и исследование физико-химических свойств покрытий на основе графеноподобных материалов» // Перспективные материалы, 2023, том 9, № 9, С. 63–82, DOI: 10.30791/1028-978x-2023-9-63-82.

Н.Ю. Песков, А.В. Афанасьев, И.В. Бандуркин, А.А. Вихарев, А.М. Горбачев, К.В. Минеев, Ю.С. Опарина, А.В. Савилов «Фотоинжекторный комплекс в ИПФ РАН: расчетные параметры и текущая стадия разработки» // Известия РАН. Серия физическая, 2023, том 87, № 5, С. 670–647, DOI: 10.3103/s1062873822701866.

A.M. Gorbachev, A.A. Vikharev, A.V. Afanasiev, A.L. Vikharev, I.V. Bandurkin, D.B. Radishev, M.N. Drozdov, and S.A. Bogdanov. Investigation of phosphorus-doped nanocrystalline diamond films for photocathode application // Vacuum, 2023, vol. 215, P. 112335, DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112335.

S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, and M.A. Lobaev. Nongrowth regime in microwave chemical vapor deposition reactor due to formation of plasma nonhomogeneity // Plasma Processes and Polymers, 2023, vol. 20, № 10, P. e2300073, DOI: 10.1002/ppap.202300073.

N.Yu. Peskov, A.V. Afanasiev, I.V. Bandurkin, A.A. Vikharev, A.M. Gorbachev, K.V. Mineev, Yu.S. Oparina, and A.V. Savilov. Photoinjector Complex at the Russian Academy of Sciences’ Institute of Applied Physics: Calculated Parameters and Current Stage of Development // BULLETIN OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES: PHYSICS, 2023, vol. 87, P. 590–594, DOI: 10.3103/s1062873822701866.

M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, E.V. Demidov, and M.N. Drozdov. SiV center electroluminescence in high current density diamond p-i-n diode // Applied Physics Letters, 2023, vol. 123, P. 000000, DOI: 10.1063/5.0178908.

2022 год

В.А. Кукушкин «Высокая подвижность дырок в дельта-легированных бором слоях алмаза: почему она до сих пор не достигнута и как ее можно достичь» // Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, № 10, С. 966–972, DOI: 10.21883/ftp.2022.10.53957.9872.

О.А. Иванов, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, Н.М. Овечкин, В.П. Логинов, Ю.А. Яковлев, А.Я. Вуль «Исследование влияния содержания водорода на проводимость нанокристаллических алмазных пленок» // Письма в журнал технической физики, 2022, том 48, № 2, С. 37–40, DOI: 10.21883/pjtf.2022.02.51920.18923.

Д.Б. Радищев, Е.А. Архипова, М.Н. Дроздов, С.А. Краев, О.И. Хрыкин, С.А. Богданов, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Исаев, М.А. Лобаев «Электрофизические свойства дельта-легированных бором слоев алмаза» // Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», изд. Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 2022, том 2, С. 689–690.

E.B. Yudina, A.E. Aleksenskii, S.A. Bogdanov, S.S. Bukalov, L.A. Leites, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, and A.Y. Vul’. CVD Nanocrystalline Diamond Film Doped with Eu. – Materials, 2022, vol. 15, № 16, P. 5788, DOI: 10.3390/ma15165788.

M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, E.A. Arkhipova, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, and V.A. Kukushkin. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates // Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2022, vol. 13, № 5, P. 578–584, DOI: 10.17586/2220-8054-2022-13-5-578-584.

M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, E.V. Demidov, and M.N. Drozdov. SiV Centers Electroluminescence in Diamond Merged Diode // Physica Status Solidi (RRL), 2022, vol. –, № 220432, P. 1–5, DOI: 10.1002/pssr.202200432.

2021 год

Е.Р. Кочаровская, В.А. Кукушкин, А.В. Мишин, В.В. Кочаровский, В.В. Кочаровский «Зависимость спектра генерации и синхронизации мод от ширины запрещенной фотонной зоны в гетеролазерах класса С с распределенной обратной связью волн в резонаторе Фабри-Перо» // Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, № 5, С. 758–765, DOI: 10.21883/ftp.2021.09.51291.21.

А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, Н.М. Овечкин, О.А. Иванов, Д.Б. Радищев, А.М. Горбачев, М.А. Лобаев, А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, С.А. Краев, С.А. Королев «Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда» // Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, № 1, С. 49–58, DOI: 10.21883/ftp.2021.01.50387.9520.

I.V. Bandurkin, A.E. Fedotov, A.P. Fokin, M.Yu Glyavin, A.G. Luchinin, I.V. Osharin, D.B. Radishev, A.V. Savilov, A.V. Starodubov, and Y. Tatematsu. Development of Second-Harmonic Terahertz Gyrotrons with Highly Selective Cavities // 50th European Microwave Conference, EuMC 2020, 2021, vol. 9338035, P. 603–606, DOI: 10.23919/eumc48046.2021.9338035.

V.A. Kukushkin. Hopping conduction of non metallic heavily doped delta-layers in CVD diamond // Diamond & Related Materials, 2021, vol. 116, P. 108373, DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108373.

S. Bogdanov, A. Gorbachev, D. Radishev, A. Vikharev, M. Lobaev, S. Bolshedvorskii, V. Soshenko, S. Gusev, D. Tatarskiy, and A. Akimov. Investigation of High-Density Nitrogen Vacancy Center Ensembles Created in Electron-Irradiated and Vacuum-Annealed Delta-Doped Layers // Physica Status Solidi – Rapid Research Letters, 2021, vol. 15, P. 2000550, DOI: 10.1002/pssr.202000550.

D.B. Radishev, M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, and M.N. Drozdov. Investigation of NV centers charge states in CVD diamond layers doped by nitrogen and phosphorous // Journal of Luminescence, 2021, vol. 239, P. 118404, DOI: 10.1016/j.jlumin.2021.118404.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, and M.N. Drozdov. Investigation of silicon-vacancy center formation during the CVD diamond growth of thin and delta doped layers // Journal of Materials Chemistry C, 2021, vol. 9, № 29, P. 9229–9235, DOI: 10.1039/d1tc01538a.

2020 год

М.Н. Дроздов, Е.А. Архипова, Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев, В.И. Шашкин, А.Е. Парафин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, В.А. Исаев, С.А. Богданов «Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу» // Письма в журнал технической физики, 2020, том 54, № 9, С. 855–858, DOI: 10.21883/pjtf.2020.11.49497.18261.

П.А. Юнин, А.И. Охапкин, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, Е.А. Архипова, С.А. Краев, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин, Д.Б. Радищев «Модификация соотношения sp2/sp3-гибридного углерода в PECVD пленках DLC» // Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, № 9, С. 855–858, DOI: 10.21883/ftp.2020.09.49820.12.

А.А. Вихарев, А.Л. Вихарев, Е.И. Гачева, О.А. Иванов, С.В. Кузиков, Д.С. Макаров, М.А. Мартьянов, С.Ю. Миронов, Н.Ю. Песков, А.К. Потемкин, М.Ю. Третьяков, А.П. Шкаев «Разработка фотоинжекторного ускорительного комплекса в ИПФ РАН: состояние исследований и перспективы» // Известия вузов. Радиофизика, 2020, том 63, № 5–6, С. 477–487, [https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44487234].

А.М. Горбачев, М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, М.Н. Дроздов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова «Создание локализованных ансамблей NV-центров в выращиваемом в микроволновом CVD-реакторе алмазе и изучение их свойств» // Известия вузов. Радиофизика, 2020, том 63, № 7, С. 592–606.

А.М. Горбачев, М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, С.В. Большедворский, А.И. Зеленеев, В.В. Сошенко, А.В. Акимов, М.Н. Дроздов, В.А. Исаев «Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе» // Письма в журнал технической физики, 2020, том 46, № 13, С. 19–23, DOI: 10.21883/pjtf.2020.13.49585.18299.

V.A. Kukushkin. A Phenomenological Model of Mott's Insulator–Metal Phase Transition in 3D and 2D Boron-Doped Diamond // Physica Status Solidi B, 2020, vol. 257, № 9, P. 1900748, DOI: 10.1002/pssb.201900748.

M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, M.N. Drozdov, and V.I. Shashkin. Diamond p–i–n Diode with Nitrogen Containing Intrinsic Region for the Study of NV Center Electroluminescence // Physica Status Solidi (RRL), 2020, vol. 14, P. 2000347, DOI: 10.1002/pssr.202000347.

M.N. Drozdov, E.V. Demidov, Yu.N. Drozdov, S.A. Kraev, V.I. Shashkin, E.A. Arkhipova, M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishchev, V.A. Isaev, and S.A. Bogdanov. Formation of Low-Resistivity Au/Mo/Ti Ohmic Contacts to p-Diamond Epitaxial Layers // Technical Physics, 2020, vol. 64, P. 1827–1836, DOI: 10.1134/s1063784219120041.

A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, D.B. Radishchev, A.L. Vikharev, S.A. Bogdanov, S.V. Bol’shedvorskii, A.I. Zeleneev, V.V. Soshenko, A.V. Akimov, M.N. Drozdov, and V.A. Isaev. Formation of Multilayered Nanostructures of NV Sites in Single-Crystal CVD Diamond // Technical Physics Letters, 2020, vol. 46, P. 641–645, DOI: 10.1134/s1063785020070093.

A.L. Vikharev, M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, and S.A. Bogdanov. Investigation of homoepitaxial growth by microwave plasma CVD providing high growth rate and high quality of diamond simultaneously // Materials Today Communications, 2020, vol. 22, P. 100816, DOI: 10.1016/j.mtcomm.2019.100816.

P.A. Yunin, A.I. Okhapkin, M.N. Drozdov, S.A. Korolev, E.A. Arkhipova, S.A. Kraev, Yu.N. Drozdov, V.I. Shashkin, and D.B. Radishev. Modification of the Ratio between sp2- to sp3- Hybridized Carbon Components in PECVD Diamond-Like Films // Semiconductors, 2020, vol. 54 (9), P. 1047–1050, DOI: 10.1134/s1063782620090316.

S. Bolshedvorskii, S. Bogdanov, A. Zeleneev, V. Soshenko, O. Rubinas, D. Radishev, M. Lobaev, A. Vikharev, A. Gorbachev, A. Smolyaninov, V. Sorokin, and A. Akimov. On investigation as grown NV centers in delta doped layers in diamond // AIP Conference Proceedings, 2020, vol. 2241, P. 020005, DOI: 10.1063/5.0011809.

S.A. Bogdanov, S.V. Bolshedvorskii, A.I. Zeleneev, V.V. Soshenko, O.R. Rubinas, D.B. Radishev, M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.N. Drozdov, V.N. Sorokin, and A.V. Akimov. Optical investigation of as-grown NV centers in heavily nitrogen doped delta layers in CVD diamond // Materials Today Communications, 2020, vol. 24, P. 101019, DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.101019.

M.N. Drozdov, E.A. Arkhipova, Yu.N. Drozdov, S.A. Kraev, V.I. Shashkin, A.E. Parafin, M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishchev, V.A. Isaev, and S.A. Bogdanov. The Use of Pulsed Laser Annealing to Form Ohmic Mo/Ti Contacts to Diamond // Technical Physics Letters, 2020, vol. 46, № 6, P. 551–555, DOI: 10.1134/s1063785020060024.

2019 год

Н.В. Байдусь, В.А. Кукушкин, С.М. Некоркин, А.В. Круглов, Д.Г. Реунов «Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов» // Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, № 3, С. 345–350, DOI: 10.21883/ftp.2019.03.47286.8999.

М.Н. Дроздов, Е.В. Демидов, Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев, В.И. Шашкин, Е.А. Архипова, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, В.А. Исаев, С.А. Богданов «Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p-типа» // Журнал технической физики, 2019, том 89, № 12, С. 1923, DOI: 10.21883/jtf.2019.12.48493.434-18.

С.А. Богданов, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, М.А. Лобаев «Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза» // Письма в ЖТФ, 2019, том 45, вып. 3. DOI: 10.21883/PJTF.2019.03.47269.17585.

В.А. Кукушкин «Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе» // Журнал технической физики, 2019, том 89, № 2, С. 258–263, DOI: 10.21883/jtf.2019.02.47080.181-18.

В.А. Кукушкин «Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором слоях алмаза» // Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, № 10, С. 1437–1443, DOI: 10.21883/ftp.2019.10.48304.8954.

Vl.V. Kocharovsky, V.A. Kukushkin, S.V. Tarasov, E.R. Kocharovskaya, and V.V. Kocharovsky. On the Asymmetric Generation of a Superradiant Laser with a Symmetric Low-Q Cavity // Semiconductors, 2019, vol. 53, № 10, P. 1287–1294, DOI: 10.1134/s1063782619100105.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, and D.B. Radishev. Physics and application of gas discharge in millimeter wave beams // J. Phys. D: Appl. Phys. 52 (2019) 014001 (13pp). DOI: 10.1088/1361-6463/aae3a3.

V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, A.N. Stepanov, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, A.V. Zdoroveyshchev, and M.V. Ved. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond // Diamond & Related Materials, 2019, vol. 97, № 1, P. 107444, DOI: 10.1016/j.diamond.2019.107444.

2018 год

М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, М.А. Лобаев, П.А. Юнин «Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии» // Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 7. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45885.17121.

П.А. Юнин, П.В. Волков, Ю.Н. Дроздов, А.В. Колядин, С.А. Королев, Д.Б. Радищев, Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин «Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек» // Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 11, c. 1321–1325. DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46592.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, and D.B. Radishev. Multimode cavity type MPACVD reactor for large area diamond film deposition // Diamond and Related Materials, Volume 83, March 2018, Pages 8–14. DOI: 10.1016/j.diamond.2018.01.011.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, and M.N. Drozdov. NV-Center Formation in Single Crystal Diamond at Different CVD Growth Conditions // Physica Status Solidi (a), 2018, 1800205. DOI: 10.1002/pssa.201800205.

O.A. Ivanov, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, V.V. Luchinin, V.A. Golubkov, A.S. Ivanov, and V.A. Ilyin. Emission properties of undoped and boron-doped nanocrystalline diamond films coated silicon carbide field emitter arrays // Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 36, 021204 (2018). DOI: 10.1116/1.5012977.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, V.A. Isaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, and J.E. Butler. Investigation of boron incorporation in delta doped diamond layers by secondary ion mass spectrometry // Thin Solid Films, Volume 653, May 2018, Pages 215–222. DOI: 10.1016/j.tsf.2017.12.008.

В.А. Кукушкин «Теоретический предел на максимальную рабочую частоту алмазных полевых транзисторов с дельта-допированными проводящими каналами // Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 12–15 марта 2018 г.), Том 2, с. 681–682.

М.А. Лобаев, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, В.А. Исаев, Д.Б. Радищев, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, Д.Э. Батлер «Исследование легированного CVD алмаза: осаждение и диагностика» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 12–15 марта 2018 г.), Том 2, с. 691–692.

М.А. Лобаев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, М.Н. Дроздов, А.Л. Вихарев, Д.Б. Радищев, В.А. Исаев, П.А. Юнин «Исследование процессов выращивания легированных азотом тонких слоев алмаза для создания пространственно локализованных NV центров» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 12–15 марта 2018 г.), Том 2, с. 689–690.

Е.А. Суровегина, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, С.А.Краев, В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов «Формирование и исследование омических контактов к эпитаксиальным структурам алмаза» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 12–15 марта 2018 г.), Том 2, с. 773–774.

П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Катруша, А.В. Колядин, С.А. Королев, Д.Б. Радищев, Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин «Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 12–15 марта 2018 г.), Том 2, с. 829–830.

В.А. Кукушкин, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, Д.И. Курицын, А.В. Здоровейщев «Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au» // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 12–15 марта 2018 г., г. Нижний Новгород, изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Том 2, с. 683–684 (2018).

2017 год

В.А. Кукушкин, Д.Б. Радищев, М.А. Лобаев, С.А. Богданов, А.В. Здоровейщев, И.И. Чунин «Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза» // Письма в Журнал технической физики, т. 43, вып. 24, с. 65–71 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45343.16860.

В.А. Кукушкин, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, Д.И. Курицын, А.В. Здоровейщев «Зависимость кинетики релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs от их близости к границе с Au» // Оптика и спектроскопия, т. 123, № 5, с. 757–762 (2017). DOI: 10.7868/S0030403417110150.

О.А. Иванов, С.В. Кузиков, А.А. Вихарев, А.Л Вихарев, М.А. Лобаев «Алмазное окно с легированными бором слоями для вывода сверхвысокочастотного излучения с высокой пиковой и средней мощностью» // Изв. вузов. Радиофизика, т. LX(60), № 5, C. 442–448, (2017). DOI: 10.1007/s11141-017-9809-8.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, M.N. Drozdov, and P.A. Yunin. Influence of CVD diamond growth conditions and misorientation angle on nitrogen incorporation // EPJ Web of Conferences 149, 02003 (2017), 2 pages. DOI: 10.1051/epjconf/201714902003.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, and J.E. Butler. Dependence of boron incorporation in delta layers on CVD diamond growth process and misorientation angle // EPJ Web of Conferences 149, 02014 (2017), 2 pages. DOI: 10.1051/epjconf/201714902014.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, E.A. Surovegina, V.I. Shashkin, P.A. Yunin, and J.E. Butler. CVD diamond with boron-doped delta-layers deposited by microwave plasma // EPJ Web of Conferences 149, 01010 (2017), 2 pages. DOI: 10.1051/epjconf/201714901010g.

V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, D.B. Radischev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev. Diamond Bragg superlattice grown in microwave gas discharge for obtaining photoluminescence of single diamond color centers comprising a dense 3D ensemble // EPJ Web of Conferences 149, 02004 (2017), 2 pages. DOI: 10.1051/epjconf/201714902004.

D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.B. Muchnikov, P.A. Yunin, V.N. Amosov and N.B. Rodionov. Study of grown single crystal diamond by optical and X-ray spectroscopy // EPJ Web of Conferences 149, 02029 (2017), 2 pages. DOI: 10.1051/epjconf/201714902029.

J.E. Butler, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radischev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, E.A. Surovegina, V.I. Shashkin, A. Davidov, H.Tan, L. Meshi, A.C. Pakpour-Tabrizi, M.L. Hicks, and R.B. Jackman. Nanometric diamond delta doping with boron // Phys. Status Solidi RRL 11, No. 1, 1600329 (2017), 6 pages. DOI: 10.1002/pssr.201600329.

V.A. Kukushkin. Bragg superlattice for obtaining individual photoluminescence of diamond color centers in dense 3D ensembles, Applied Physics A, v. 123, 663 (1–7) (2017). DOI: 10.1007/s00339-017-1274-x.

M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, and M.N. Drozdov. Influence of CVD diamond growth conditions on nitrogen incorporation // Diamond and Related Materials, V. 72, February 2017, p. 1–6. DOI: 10.1016/j.diamond.2016.12.011.

S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, M.N. Drozdov, and D.B. Radishev. Synthesis of thick and high-quality homoepitaxial diamond with high boron doping level: Oxygen effect // Diamond and Related Materials, V. 74, April 2017, p. 59–64. DOI: 10.1016/j.diamond.2017.02.004.

2016 год

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, and J.E. Butler. Novel microwave plasma assisted CVD reactor for diamond delta doping // Physica Status Solidi RRL, v.10, Issue 4, 2016, pp. 324–327. DOI: 10.1002/pssr.201510453.

M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev. Method of power density determination in microwave discharge, sustained in hydrogen–methane gas mixture // Diamond & Related Materials 66 (2016) 177–182. DOI: 10.1016/j.diamond.2016.05.004.

V.V. Chernov, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, and M.A. Lobaev. Criterion for comparison of MPACVD reactors working at different microwave frequencies and diamond growth conditions // Phys. Status Solidi A, vol. 213, Issue 10, (2016), pp. 2564–2569. DOI: 10.1002/pssa.201600193.

V.V. Chernov, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, and A.V. Kozlov. A continuous microwave discharge maintained by two crossing millimeter-wave beams in hydrogen and argon: Numerical simulation and experiment // Plasma Sources Science and Technology, Volume 25, Number 6, (2016), 065022. DOI: 10.1088/0963-0252/25/6/065022.

A.V. Golubkov, A.S. Ivanov, V.A. Ilyin, V.V. Luchinin, S.A. Bogdanov, V.V. Chernov and A.L. Vikharev. Stabilizing effect of diamond thin film on nanostructured silicon carbide field emission array // Journal of Vacuum Science & Technology B 34, 062202 (2016). DOI: 10.1116/1.4965727.

O.A. Ivanov, A.L. Vikharev and A.M.Gorbachev. Experimental study of plasma decay in pulsed microwave discharges of H2, CH4 and their mixtures // Plasma Sources Sci. Technol., 25 (2016) 035017. DOI: 10.1088/0963-0252/25/3/035017.

A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, A.L.Vikharev, A.M.Gorbachev, A.V.Mitenkin, M.lN.Drozdov, Y.N.Drozdov, and P.A.Yunin. Characterization of interfaces in mosaic CVD diamond crystal // Journal of Crystal Growth, 442 (2016) 62–67. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.02.026.

V.A. Kukushkin. Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic // Physica B 498 (2016) 1–6. DOI: 10.1016/j.physb.2016.06.011.

Е.А. Суровегина, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, А.Б. Мучников, В.В. Чернов, Д.Б. Радищев, Д.Е. Батлер «Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором» // Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 12, стр. 1595–1598.

Н.В. Байдусь, В.А. Кукушкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин «Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки» // Физика и техника полупроводников, 2016, т. 50, № 11, стр. 1576–1582.

С.А. Богданов, А.Л. Вихарев, М.Н. Дроздов «Исследование синтеза полупроводникового CVD алмаза при высокой степени легирования» // Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2016. Т. 1. № 1. С. 79–81.

П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Чернов, В.А. Исаев, С.А. Богданов, А.Б. Мучников «Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек» // Физика и техника полупроводников. 2016, т. 50, № 12, стр. 1647–1651.

2015 год

A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, O.A. Ivanov, and A.M. Gorbachev. A wafer of combined single-crystalline and polycrystalline CVD diamond // Materials Letters, 2015, 139, pp. 1–3. DOI: 10.1016/j.matlet.2014.10.022.

V.A. Kukushkin, S.A. Bogdanov. Simulation of CVD diamond-based high speed near-infrared photodetectors // Diamond & Related Materials 60 (2015) 94–98. DOI: 10.1016/j.diamond.2015.10.017.

V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, S.A. Bogdanov, A.V. Zubkova, J.E. Butler, V.A. Ilyin, A.V. Afanas'ev, and A.L. Vikharev. Temperature admittance spectroscopy of boron doped chemical vapor deposition diamond // Journal of Applied Physics 118, 145703 (2015). DOI: 10.1063/1.4932664.

O.A. Ivanov, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, M.A. Lobaev, V.A. Isaev, and V.V. Chernov. Electron emission amplification of cold cathode by two-layer diamond coating // Phys. Status Solidi A, 212: 1779–1784. DOI: 10.1002/pssa.201431799.

O.A. Ivanov, A.B. Muchnikov, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, and J.E. Butler. Experimental study of hydrogen plasma etching of (100) single crystal diamond in a MPACVD reactor // Materials Letters, 151 (2015) 115–118. DOI: 10.1016/j.matlet.2015.03.073.

A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, J.E. Butler, V.V. Chernov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, A.I. Okhapkin, P.A. Yunin, and Y.N. Drozdov. Homoepitaxial growth of CVD diamond after ICP pretreatment // Phys. Status Solidi A, 212: 2572–2577. DOI: 10.1002/pssa.201532171.

О.И. Хрыкин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, В.И. Шашкин, С.А. Богданов, А.Б. Мучников, А.Л. Вихарев, Д.Б. Радищев «Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе» // Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 19, c. 8–15.

М.А. Лобаев, О.А. Иванов, А.Л Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Исаев «Исследование взаимодействия пучка электронов с сильным высокочастотным полем в волноводном переключателе мощного СВЧ компрессора» // Изв. вузов. Радиофизика, т. 58, № 11, c. 913–922, (2015).

A.L. Vikharev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, O.A. Ivanov, and A.M. Gorbachev. Growth and characterization of combined single-crystalline and polycrystalline CVD diamond wafer // Pittsburgh, PA, MRS Proceedings, V. 1734, (2015). DOI: 10.1557/opl.2015.41.

M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev. Investigation of microwave discharge in cavity reactor excited in the TM013 mode // Proceedings of IX International workshop “Microwave discharges: fundamentals and applications”, September 7–11, 2015, Cordoba (Spain), pp. 83–88.

Вихарев А.Л., Лучинин В.В. «CVD алмаз – материал для нового поколения электронных приборов: выращивание, характеристики и некоторые применения» // Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2015, т. 1, № 1, c. 29–33.

Зубков В.И., Панов М.Ф., Афанасьев А.В., Ильин В.А., Зубкова А.В., Ламкин И.А., Butler J.E., Вихарев А.Л., Богданов С.А. «На пути к дельта-легированному полупроводниковому алмазу» // Нано- и микросистемная техника, 2015, № 12 (185), c. 22–31.

2014 год

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, В.В. Чернов, А.В. Козлов «Исследование непрерывного СВЧ разряда в двух пересекающихся волновых пучках миллиметрового диапазона длин волн» // Известия вузов. Радиофизика, т. 57, № 12, ISSN:0021-3462, (2014).

О.А. Иванов, М.А. Лобаев, В.В. Чернов, А.Л Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Исаев «Экспериментальное исследование сильноточных катодов на основе алмазных пленок с использованием мощного компрессора СВЧ импульсов» // Известия вузов. Радиофизика, т. 57, № 10, c. 797–807, ISSN: 0021-3462, (2014).

Kukushkin V.A., Snider G.L., Bogdanov S.A., and Chernov V.V. Delta layer doping profile in diamond providing high carrier mobility // Physica Status Solidi (RRL), 2014, v. 8, Issue 10, pp 876–879. DOI: 10.1002/pssr.201409302.

Bogdanov S.A., Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Muchnikov A.B., Raadishev D.B., Ovechkin N.M., and Parshin V.V. Growth-rate enhancement of high-quality, low-loss CVD-produced diamond disks grown for microwave windows application // Chemical vapor deposition, 2014, v. 20, № 1–3, pp. 32–38. DOI: 10.1002/cvde.201307058.

2013 год

Chernov V.V., Ivanov O.A., Isaev V.A., Radishev D.B., Vikharev A.L., and Kozlov A.V. High-current electron emission of thin diamond films deposited on molybdenum cathodes // Diamond and Related Materials, 2013, v. 37, p. 87–91.

Духновский М.П., Куликов Е.Н., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю., Богданов Ю.М., Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Мучников А.Б., Кудряшов О.Ю., Леонтьев И.А. «Алмазные материалы и принципы 3D технологии их обработки для изделий электронной техники» // Электронная техника. Серия 1: СВЧ техника, вып. 3(518), с. 40–46, 2013.

V.V. Chernov, O.A. Ivanov, V.A. Isaev, D.B. Radishev, A. L.Vikharev, and A.V. Kozlov. High-current electron emission of thin diamond films deposited on molybdenum cathodes // Diamond & Related Materials, 37, (2013), 87–91.

Ivanov O.A., Lobaev M.A., Vikharev А.L., Gorbachev A.M., Isaev V.A., Hirshfield J.L., Gold S.H. and Kinkead A.K. Active Microwave Pulse Compressor Using an Electron-Beam Triggered Switch // Phys. Rev. Lett, 2013, v. 110, 031801.

2012 год

Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Духновский М.П., Мучников А.Б., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. «Комбинированные подложки из поли- и монокристаллического CVD алмаза для алмазной электроники» // Физика и техника полупроводников, 2012, т. 46, № 2, с. 274–277.

Chernov V.V., Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Kozlov A.V., Vul A.Ya., and Aleksenskii A.E. The nucleation and growth of nanocrystalline diamond films in millimeter-wave CVD reactor // Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures, 2012, v. 20, p. 600–605.

Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Muchnikov A.B., Radishev D.B., Kopelovich E.A., and Troitskiy M.M. Investigation of the optimized parameters of microwave plasma-assisted chemical vapor deposition reactor operation in a pulsed mode // J. Phys. D: Appl. Phys., 2012, v. 45, 395202.

2011 год

Алтухов А.А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Духновский М.П., Земляков В.Е., Зяблюк К.Н., Митенкин А.В., Мучников А.Б., Радищев Д.Б., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. «Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза» // Физика и техника полупроводников, 2011, № 3, с. 403.

Muchnikov A.B., Vikharev A.L., Gorbachev A.M., and Radishev D.B. Comparative study of homoepitaxial single crystal diamond growth at continuous and pulsed mode of MPACVD reactor operation // Diamond and Related Materials, 2011, v. 20, p. 1225–1228.

Ratnikova A.K., Dukhnovsky M.P., Fedorov Yu.Yu., Zemlyakov V.E., Muchnikov A.B., Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Radishev D.B., Altukhov A.A., and Mitenkin A.V. Homoepitaxial single crystal diamond grown on natural diamond seeds (type IIa) with boron-implanted layer demonstrating the highest mobility of 1150 cm2/Vs at 300K for ion-implanted diamond // Diamond and Related Materials, 2011, v. 20, p. 1243–1245.

Ivanov O.A., Isaev V.A., Lobaev M.A., Vikharev A.L., and Hirshfield J.L. High power microwave switch employing electron beam triggering with application to active RF pulse compressors // Physical Review ST AB, 2011, v. 14, 061301.

Vikharev A.L., Ivanov O.A., Gorbachev A.M., Lobaev M.A., Isaev V.A., Tantawi S.G., Lewandowski J.R., and Hirshfield J.L. X-band active SLED-II RF pulse compressor with plasma switches // Physical Review ST AB, 2011, v. 14, 121302.

Ivanov O.A., Isaev V.A., Radishev D.B., Lobaev M.A., Vikharev A.L., Chernov V.V., Kozlov A.V. and Hirshfield J.L. Cold cathode employing diamond and related films // IEEE Trans. on Plasma Science, 2011, v. 39, № 11, part 1, pp. 2794–2795.

2010 год

A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, V.D. Blank, and S.A. Terentiev. Homoepitaxial single crystal diamond growth at different gas pressures and MPACVD reactor configurations // Diamond and Related Materials, 19 (2010) 432–436.

Иванов О.А., Лобаев М.А., Исаев В.А., Вихарев А.Л. «Экспериментальное исследование мультипакторного разряда на поверхности диэлектриков в высокодобротном СВЧ резонаторе» // Физика плазмы, 36 (2010) № 4, 365–374.

Ivanov O.A., Lobaev M.A., Isaev V.A., and Vikharev А.L. Suppressing and Initiation of Multipactor Discharge on a Dielectric by an External DC Bias // Phys. Rev. ST AB, 13 (2010) 022004.

Ivanov O.A., Isaev V.A., Lobaev M.A., Vikharev A.L., and Hirshfield J.L. A resonance switch employing an explosive-emission cathode for high-power RF pulse compressors // Applied Physics Letters, 2010, v. 97, 031501.

2009 год

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, O.A. Ivanov, V.A. Isaev, S.V. Kuzikov, , M.A. Lobaev, J.L. Hirshfield, S.H. Gold, and A.K. Kinkead. High power active pulse compressor using plasma switches // Physical Review ST AB, 12 (2009) 062003.

O.A. Ivanov, A.A. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, S.V. Kuzikov, J.L. Hirshfield, and M.A. LaPointe. Active quasioptical Ka-band rf pulse compressor switched by a diffraction grating // Physical Review ST AB, 12 (2009) 093501.

А.Л. Вихарев, А.А. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов, В.А. Исаев, С.В. Кузиков, М.А. Лобаев «Резонансный фазоинвертор миллиметрового диапазона длин волн, переключаемый пучком электронов» // ЖТФ, 79 (2009), вып. 11, 86–92.

М.А. Лобаев, О.А. Иванов, В.А. Исаев, А.Л. Вихарев «Исследование влияния неоднородности СВЧ поля на порог мультипакторного разряда на диэлектрике» // Письма в ЖТФ, 35 (2009), вып. 23, 9–16.

А.Л. Вихарев, А.А. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов, В.А. Исаев, С.В. Кузиков «Квазиоптический фазовращатель 8-мм диапазона длин волн на основе активной дифракционной решетки» // Письма в ЖТФ, 35 (2009), вып. 9, 67–75.

2008 год

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.V. Kozlov, D.B. Radishev, and A.B. Muchnikov. Microcrystalline diamond growth in presence of argon in millimeter wave plasma-assisted CVD reactor // Diamond and Related Materials, 17 (2008) 1055–1061.

A.Л. Вихарев, A.M. Горбачев, O.A. Иванов, В.A. Исаев, С.В. Kузиков, Б.З. Мовшевич, Дж.Л. Хиршфилд, С.Х. Голд «Активный брэгговский компрессор СВЧ импульсов трехсантиметрового диапазона длин волн» // Известия вузов: Радиофизика, 51 (2008) 597–616.

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов, В.А. Исаев, В.А. Колданов, С.В. Кузиков, Дж.Л. Хиршфилд, С.Х. Голд «Двухканальный 100-мегаваттный СВЧ компрессор трехсантиметрового диапазона длин волн» // Известия вузов: Радиофизика, 51 (2008) 660–674.

2007 год

А.М. Горбачев, А.Б. Мучников, А.Л. Вихарев, Д.Б. Радищев, В.А. Колданов «Плазмохимические процессы с участием углеродосодержащих соединений в непрерывном СВЧ разряде» // Физика плазмы, 33 (2007) № 10, 948–957.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, and A.V. Kozlov. Gas temperature measurements in a 30GHz gyrotron-based CVD reactor // Proc. of the Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases, Prague, Czech Republic, 2007, с. 1653.

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, А.Б. Мучников, Д.Б. Радищев «Исследование газофазного синтеза поли- и монокристаллических алмазных пленок в плазме СВЧ разряда» // Известия вузов: Радиофизика, 50 (2007) 1009–1020.

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов, В.А Исаев, С.В. Кузиков, М.А. Лобаев «Плазменный переключатель, основанный на преобразовании мод ТЕ02-ТЕ01 круглого волновода для мощных СВЧ компрессоров сантиметрового диапазона длин волн» // Письма в ЖТФ, 33 (2007) вып. 18, 54–60.

2006 год

А.Л. Вихарев, О.А. Иванов «Плазмохимические процессы в плазме наносекундных СВЧ разрядов» // Кн. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Т. VIII-I, гл. 6. М. ЯНУС-К. 2006.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, A.V. Kozlov, V.A. Koldanov, A.G. Litvak, N.M. Ovechkin, D.B. Radishev, Yu.V. Bykov, and M. Caplan. Diamond films grown by millimeter wave plasma-assisted CVD reactor // Diamond and Related Materials, 15 (2006) pp. 502–507.

2005 год

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Колданов, Д.Б. Радищев «Исследования импульсного и непрерывного СВЧ разрядов, применяемых в технологии получения алмазных пленок» // Физика плазмы, 31 (2005) № 4, 376–384.

В.А. Колданов, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, Д.Б. Радищев «Самосогласованное моделирование импульсного и непрерывного СВЧ-разрядов в водороде» // Физика плазмы, 31 (2005) № 10, 1038–1050.

Vikharev A.L., Ivanov O.A., Gorbachev A.M., Kuzikov S.V., Isaev V.A., Koldanov V.A., Lobaev M.A., Hirshfield J.L., LaPointe M.A., Nezhevenko O.A., Gold S.H. and Kinkead A.K., Active compression of rf pulses (review paper), Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Quasi–Optical Control of Intense Microwave // Ed. by J. L. Hirshfield and M.I. Petelin, NATO Science Series II “Quasi–Optical Control of Intense Microwave Transmission”, Springer, v. 203, pp. 199–218, 2005.

2004 год

Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Ivanov O.A., Lobaev M.A., Isaev V.A., Kuzikov S.V., Koldanov V.A., and Hirshfield J.L., Plasma switch for X-band active SLEDII RF pulse compressor, Proc. 7th Workshop: Advanced Accelerator Concepts, Edited by V. Yakimenko, AIP Conference Proceedings, Melville, NY, v. 737, pp. 790–796, 2004.

2003 год

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Koldanov, R.A. Akhmedzhanov, D.B. Radishev, T.A.Grotjohn, S. Zuo, and J.Asmussen. Comparison of pulsed and CW regimes of MPACVD reactor operation // Diamond and Related Materials, 12 (2003), 272–276.

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов и др. «Исследование активных СВЧ компрессоров, возбуждаемых излучением магникона на частоте 11,4 ГГц» // Изв. вузов: Радиофизика, 46 (2003) № 10, 897–906.

Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Ivanov O.A. et al., High-power test of a two channel X-band active RF pulse compressor using plasma switches // High Energy Density and High Power RF, AIP Conference Proceedings, 691 (2003) 197.

2002 год

R.A. Akhmedzhanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Koldanov, and D.B. Radishev. Studies of pulse operation regime of microwave plasma CVD reactor // Diamond and Related Materials, 11(2002) 579–583.

A.L. Vikharev, Yu.Yu. Danilov, A.M. Gorbachev, S.V. Kuzikov, Yu.I. Koshurinov, V.G. Paveliev, M.I. Petelin, and J.L. Hirshfield. Quasi-optical microwave pulse compressor at 34GHz // AIP Conference Proceedings, 647 (2002) 448.

2001 год

A.M. Gorbachev, V.A. Koldanov, and A.L. Vikharev. Numerical modeling of a microwave plasmas CVD reactor // Diamond and Related Materials, 10 (2001) 342–346.

A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, O.A. Ivanov, et. al. Two channel active high-power X-band pulse compressor // AIP Conference Proceedings, 569 (2001) 741.

А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, О.А. Иванов, А.Л. Колыско, О.А. Кузнецов «Пространственные структуры непрерывного СВЧ разряда» // ЖЭТФ, 2001, т. 120, вып. 2(8), с. 366–378.

2000 год

А.В. Гуревич, А.Г. Литвак, А.Л. Вихарев, О.А. Иванов и др. «Искуственная ионизованная область как источник озона в стратосфере» // УФН, 170 (2000) № 11, 1181–1202.

Vikharev A.L. Gas discharge produced by strong microwaves of nanosecond duration (review paper) // Journal of Technical Physics, 2000, v. 41, № 1, Special issue, p. 485–503.

О.А. Иванов, В.А. Колданов «Самосогласованная модель импульсного разряда в воздухе, создаваемого поверхностными волнами» // Физика плазмы 26 (2000) № 10, 902.

T.A. Grotjohn, J. Asmussen, J. Sivagnaname, D. Story, A.L. Vikharev, A. Girbachev, and A. Kolisko. Electron density in moderate pressure diamond deposition discharges // Diamond and Related Materials, 2000, v. 9, pp. 322–327.